Simone2017年3月11日的新闻报道「中国芯力量」是否意味着中国很快就能完成5纳米刻蚀机的开发工作？
的有关信息介绍如下：
刚好看到这个问题，简单答一下吧，所报道的设备叫等离子体刻蚀技术（ICP），不是传统半导体制造的光刻工艺，赞第一的答案给了几个维基百科，应该能很好的解释了。传统的硅基半导体光刻工艺，应该包括一系列的匀胶，前后烘烤，掩膜板（MASK）下固化光刻胶，外延生长（常见通常包括磁控溅射和电子束蒸发，还有视频里提到的化学气相沉积，针对不同材料有不同的工艺要求），后再去胶等流程。intel，台积电，三星的14 nm都是利用光刻达到的，毕竟设计好的电路用掩膜板（MASK）直接做的话，对于生产流水线肯定是最快、产量最高的。而纳米级别的刻蚀则是包括视频中所提到的ICP，还有FIB（聚焦离子束）刻蚀，同样针对不同材料而言采取不同的刻蚀手段，ICP相对来说用的还狭窄一些，它的气源决定了他所能刻蚀的一些材料。不过能做到5 nm确实已经很不错了（不过不知道是针对什么材料的，因为仪器的验收标准是特定材料特定结构下的极限尺寸，并不是适用于所有的材料的图形结构），毕竟我们这边用EBL这种号称特征尺寸可以达到10 nm还是8 nm的，做一些材料也是很难做的。
每个微电子的老师都要感慨，国内的IC技术发展刻不容缓，国家也已经投入了很多资源在这里面，估计按这个风头，近几年还会大力追加投入。只是不希望看见“汉芯”了。
